- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 63/10 - Dispositifs RAM à changement de phase [PCRAM, PRAM]
Détention brevets de la classe H10B 63/10
Brevets de cette classe: 64
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| International Business Machines Corporation | 60644 |
10 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
9 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
5 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
4 |
| IBM United Kingdom Limited | 4467 |
4 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
4 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
3 |
| IBM China Company Limited | 1050 |
3 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
2 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
2 |
| Tohoku University | 2526 |
2 |
| Shanghai IC R&D Center Co., Ltd | 181 |
2 |
| Canon Inc. | 36841 |
1 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
1 |
| Denso Corporation | 23338 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
1 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10525 |
1 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3677 |
1 |
| Huazhong University of Science and Technology | 930 |
1 |
| NEO Semiconductor, Inc. | 51 |
1 |
| Autres propriétaires | 6 |